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05Dec.2022
膜厚儀
【光學膜厚量測】高速晶圓面內mapping膜厚管理
高速晶圓面內膜厚Mapping
晶圓表面氧化製程，是以熱處理使晶圓表面生成氧化膜層。
在氧化爐中將爐內溫度提高到800度C，通入氧氣使氧化膜生成。
氧化膜層厚度的均一性管理也是非常重要，若氧化層的厚度不均會影響其絕緣效果產生不良或性能低落。
OPTM以對焦時間短見長(單點1秒以下)，以單片晶圓中量測面內25點為例所需時間為1分鐘內。
活用其快速的量測時間特性，不管是在產線或是一般實驗室中都能大幅提高工作效率。
另外，因為OPTM聚焦最小spot僅3μm，在量測時不受到表面粗糙影響，除了成膜外像是蝕刻製程的效果等等，也能用面內高速mapping快速得到晶圓面內分布。
台灣大塚科技備有顯微分光OPTM的DEMO機，及專業量測人員。
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