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TSV形狀檢測裝置TS-3000

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TS-3000

非接觸式,非破壞性的
              WAFER表面檢測

產品特色

非接觸、非破壞性檢測WAFER表面

最小可檢測VIA孔徑2μm 、最大深寬比1:15

除可檢測TSV、導孔開口的深度以外,VIA孔徑與底部形狀也可檢測

可檢測TSV內的光阻殘留

不受晶圓材質(doped wafer)及積層膜(金屬膜等)等影響的高精度量測

使用獨自開發的高抗震光學系統,可穩定量測細微構造的TSV及導孔開口

量測項目

3D IC堆疊裝置的 TSV形狀及TSV內的光阻殘留檢測

成像設備薄型化及細微化的形狀檢測

Power Device的導孔開口檢測

化合物半導體的各加工製程的素材形狀檢測

MEMS及金屬細微加工等較深的VIA構造檢測

規格樣式

TS-3000
檢測方式 光學干涉方式
最小Via孔徑 2 μm
最大深寬比 1:15
Work Size Φ300mm WAFER

系統架構圖

TS-3000系統架構圖

檢測例

VIA形狀檢測的3D圖示畫面