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SF-3
分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3
◎非接觸、非破壞式高速高精度量測晶圓厚度
◎即時檢測WAFER基板於研磨製程中的膜厚(厚度範圍6～1300μm※矽換算)
◎高速μSec等級量測即時檢測，採用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
◎WAFER基板於研磨製程中的膜厚
◎除了晶圓也可量測各種樹酯膜等
◎玻璃基板於減薄製程中的厚度變化(強酸環境中)
◎Load Port嵌入式專用檢出器
◎能因應不同產業和各種情況膜厚分光器(厚度範圍10～2600μm※SiO2換算)
◎即時檢測WAFER基板於研磨製程中的膜厚(厚度範圍6～1300μm※矽換算)
◎高速μSec等級量測即時檢測，採用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
◎WAFER基板於研磨製程中的膜厚
◎除了晶圓也可量測各種樹酯膜等
◎玻璃基板於減薄製程中的厚度變化(強酸環境中)
◎Load Port嵌入式專用檢出器
◎能因應不同產業和各種情況膜厚分光器(厚度範圍10～2600μm※SiO2換算)
量測項目
- 基板晶圓厚度
產品資訊
晶圓測厚儀SF-3產品特色 |
◦體積小、省空間、設備安裝簡易（123 × 128 × 224mm）
◦採用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
◦能以高速量測（最快5kHz）並監控即時研磨厚度
◦能實現長距離Working distance（以50mm）量測、崁入產線更加簡單
◦使用TCP/IP通訊來控制以LAN來與Host連線
◦可對應多層厚度量測
◦在短暫貼合的情況下也能量測各層厚度
分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3使用特殊波段坡長讀取矽晶圓、玻璃等基材厚度。量測快速可直接架設於研磨機內，實時監控研磨厚度結果。針對半導體底材材料的多樣化&3D IC堆疊厚度減薄的需求來開發的量測方法，對於目前市面上其他用來量測厚度的方式, 例如, 渦電流, 雷射變位計(段差計)以外提供另外一種量測方式, 而在精度以及穩定性上更勝一籌, 並能支援real time及時研磨量測。
晶圓測厚儀SF-3量測項目 |
因應不同量測對象，以矽晶圓厚度為例可量測6~1300μm。
高速厚度量測 |
微小點位量測 |
in-situ, ex-situ量測 真空/穿透液體 |
裝置構成 |
半導體製程裝配例 |
各類不同半導體晶圓基板厚度量測範例 |
-
Si Wafer厚度量測
-
SiC厚度量測
-
GaAs厚度量測
-
ALN厚度量測
-
藍寶石基板厚度量測
| 能因應不同產業 |
規格樣式
| 型式 | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/800 | SF-3/1300 |
|---|---|---|---|---|
| 尺寸 | 123*128*224mm | |||
| 矽晶圓量測範圍 | 6-400um | 10-775um | 20-1000um | 50-1300um |
| 樹脂厚度量測範圍 | 10-1000um | 20-1500um | 40-2000um | 100-2600um |
| 最小取樣週期 | 5kHz(200us) | |||
| 量測再現性 | 0.01%以下 | |||
| 量測光斑 | 直徑20um以上 | |||
| 測定距離 | 50, 80, 120, 150, 200mm | |||
| 光源 | 半導體光源(雷射class 3B製品) | |||
| 解析方法 | FFT解析 | |||
量測範例
各種Wafer（Silicon、其他化合物wafer）的in-situ膜厚量測 |
研磨後貼合wafer厚度量測 |
減薄後矽晶圓的厚度與黏接材後度量測結果。黏接層的不均會影響到矽晶圓研磨的成果。
切削、研磨中即時監控晶圓厚度 |
CMP製程於配線形成後，進行晶圓表面平坦化。SF-3提供崁入式CMP裝置內的即時膜厚間空系統。
自動測繪系統
| 自動測繪系統 X-Y載物台 |
● 細微Pattern 定位，提供晶圓厚度和各種厚度訊息
● 採用高精度X-Y stage工作台（2μm以下） ， 實現高精度定位
● 可支援晶圓以外的形狀
● 可確認測量點週邊視野
■ 以150mm製品為例
● 主要應用範圍：MEMS和感測器設備
◎ X-Y定位2μm以下 ◎ 搭載Pattern match功能
■ 以300mm製品為例
● 主要應用範圍：半導體專用300mm晶圓
◎ 藉由CCD確認測量點位 ◎ 搭載Pattern match功能
| 自動測繪系統 R-θ載物台 |
●能高速提供晶圓面內的厚度訊息
●可進行多點測繪測量
●最多可測量Φ300mm晶圓的面內厚度
●可因應裝配晶圓研磨裝置或暫時接合機等半導體製程裝置
注意）可測量物件：僅限無偏振材料
■ R-θ驅動例
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