- HOME
- 產品總覽
- 材料膜厚
- 橢圓偏光儀 FE-5000
橢圓偏光儀FE-5000
- 產品特色
- 量測項目
- 規格樣式
- 量測範例
- 應用範圍
高速橢圓偏譜儀
最適用於膜厚、膜質管理
產品特色
橢圓偏振術量測紫外光到可見光波長橢圓參數
0.1nm以上奈米級光學薄膜厚度量測
400波長以上多通道分光的橢偏儀，高速量測橢圓偏光光譜
可自由變換反射量測角度，得到更詳細的薄膜解析數據
非線性最小平方法解析多層膜、光學常數
量測項目
量測橢圓參數（tanΨ、cosΔ）
解析光學常數（n:折射率、k:消光係數）
多層膜厚解析
所有產業應用
規格樣式
| FE-5000 | |
| 膜厚量測範圍 | 0.1 nm ~ |
| 波長量測範圍 | 250 ~ 800nm（可選擇350~1000nm） |
| 感光元件 | 光電二極管陣列512ch（電子制冷） |
| 入射/ 反射角度範圍 |
45 ~ 90° |
| 電源規格 | AC1500VA（全自動型） |
| 尺寸 | 1300（H） × 900（D） × 1750（W）mm |
| 重量 | 約350kg（全自動型） |
量測範例
非線性最小平方法比對NIST標準樣品（SiO2）膜厚精度確認
上圖為量測NIST標準樣品SiO2薄膜tanΨ＆cosΔ光譜圖。
根據NIST所提出報告書中記載，此標準樣品膜厚值為96.9nm。
使用橢圓偏光儀 FE-5000所測得膜厚值為96.9nm，結果與標準樣品膜厚值幾乎一致。
※ NIST標準樣品：（VLSI Standard Inc. FTS4-1000）。
※ 標準樣品膜厚值為使用NIST所認證之橢偏儀的量測結果。
應用範圍
半導體晶圓：電晶體閘極（Gate）氧化薄膜、氮化膜，電極材料等・SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O2、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN・光阻劑光學常數（波長色散）
化合物半導體：AlxGa（1-x）As多層膜、非結晶矽
平面顯示器：配向膜・電漿顯示器用ITO、MgO等
新材料：類鑽碳薄膜（DLC膜）、超傳導性薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜：TiO2、SiO2、多層膜、抗反射膜、反射膜
平版印刷領域：g 線（436nm）、h 線（405nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）等於各波長的n、k值評價
