晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series

産品資訊

晶圓厚度&線上膜厚量測設備產品特長

無須搬送one through、降低Wafer的汚染與高效率的Wafer量測提案
■GS-300為可針對Φ300mmEFEM裝置的預備port進行In-situ Metrology Unit的整合。
　・簡單針對研磨機等量産製程進行整合。減少wafer汚染
　・可對應半導体生產工程的高throughput的要求
　・可針對wafer表面的pattern作對位alignment
　・對應Notch aligment功能
　・500x500mm小footprint
　・用R-θ載物台移動方式來測繪測量資料。研磨後wafer厚度測定、可針對鍍膜後的wafer做面內膜厚管理
■GS-300、能有效生成研磨前後差異Mapping資料等、尤其在2次研磨中必要的資料作成
　・能量測WAFER EDGE附近膜厚　⇒可最適化定義WAFER有効區
　　　　　　　　　　　　　　　　 　在次工程研磨於chipping為防止破片的最佳對策
　・化合物WAFER、貼合的評價　　⇒針對高端產品於wafer厚度的品質能有效提升
 

晶圓厚度&線上膜厚量測設備系統化構成

針對EFEM裝置預備port整合GS-300
　

One through研磨處理
　
　　　　　　　　研磨　　　　　　　　　　　研磨結束・排出　　　　　　　　GS-300的stage搬入　　　　　　　　厚度量測開始　　　　　　　　　高速測定中表示

測定顯示例（研磨後WAFER厚度評価）
　
　
GS-300内部構造與流程
GS-300的処理（節省從製造設備到検査設備的搬送時間・以One through的構造降低WAFER的汚染.
　(1)針對製造装置内如研磨等工程後的WAFER、為了以MAPPING的方式確認於同装置内的平坦度等而導入GS-300。
　(2)將WAFER設置於GS-300内的R-θstage上。以6萬點約１分（最快的情況下）MAPPING量測。
　(3)測定終了後、生成次工程必要資料型式後將WAFER從GS-300排出。
　
　晶圓搬送進片方向可自由設置選擇（如有prealignment功能）、量産製程中容易整合（500 X 500mmのfootprint）
　

厚膜・粗糙面厚度量測原理與高速量測

分光干涉式厚度量測原理
將光照射於測定対象（基板）上後、會引起表面反射光與裏面反射光的交互干涉（多重反射）。
當光的位相一致時強度變強、不一致時變弱。觀測光譜因伴隨的波長的變化,反射強度而変化的干渉型式。
分光干渉法為解析這光譜進而求得厚度的手法。
　　光干渉原理

膜厚解析（周波数解析法）
GS-300使用的膜厚解析為周波数解析法、以弊社考慮獨自屈折率n的波長分散性的解析技術、
於厚膜領域也能高精度解析出與實際值相當接近之膜厚。（已取得專利 第4834847号）
　
　　　　　　　　　　　　　反射光譜→周波数解析法→並求出厚度的方法

對應高速量測
導入以一量測點約20um, 最快1msec.高性能感應器"SF-3"來針對移動的樣品, 以6萬點約１分（最快的情況下）MAPPING量測。
　
　

針對需求選擇檢出器Line up

此菜、針對薄膜與厚膜的需求選定檢出器的Line up
　

 

規格樣式

 

晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series
樣本尺寸	最大300mm
載物台方式	R - θ自動載物台
修正晶圓角度・圖形校準	有
晶圓厚度範囲	基材（6um - 1300um）
尺　　寸	W500×D500×H1680mm 　※開關等突起部除外　※H包括腳輪尺寸　※H可用調節器調整高度
重　　量	約120Kg 　※端頭部除外
電　　容	AC200V±10％ 4KVA

　

量測範例

測繪測量資料例（研磨後晶圓Si 層的厚度）

300mm晶圓Si層的分布（約771μｍ）

 

測繪測量資料例（量測樹脂層厚度）

樹脂厚度不均有可能會使研磨的晶圓厚度不均