高速晶圓面內mapping膜厚管理

晶圓表面氧化製程,是以熱處理使晶圓表面生成氧化膜層。 在氧化爐中將爐內溫度提高到800度C,通入氧氣使氧化膜生成。 氧化膜層厚度的均一性管理也是非常重要,若氧化層的厚度不均會影響其絕緣效果產生不良或性能低落。 OPTM以對焦時間短見長(單點1秒以下),以單片晶圓中量測面內25點為例所需時間為1分鐘內。 活用其快速的量測時間特性,不管是在產線或是一般實驗室中都能大幅提高工作效率。 另外,因為OPTM聚焦最小spot僅5μm,在量測時不受到表面粗糙影響,除了成膜外像是蝕刻製程的效果等等,也能用面內高速mapping快速得到晶圓面內分布。  

相關機型

實驗室用 產線用