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分光干涉式WAFER膜厚計SF-3

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即時檢測WAFER基板於研磨製程中的膜厚

即時檢測
WAFER基板於研磨製程中的膜厚
玻璃基板於減薄製程中的厚度變化
(強酸環境中)

產品特色

非接觸式、非破壞性光學式膜厚檢測

採用分光干涉法實現高度檢測再現性

可進行高速的即時研磨檢測

可穿越保護膜、觀景窗等中間層的檢測

可對應長工作距離、且容易安裝於產線或設備中

體積小、省空間、設備安裝簡易

可對應線上檢測的外部信號觸發需求

採用最適合膜厚檢測的獨自解析演算法。(已取得專利)

可自動進行膜厚分布製圖(選配項目)

規格樣式

SF-3
膜厚測量範圍 0.1 μm ~ 1600 μm※1
膜厚精度 ±0.1% 以下
重複精度 0.001% 以下
量測時間 10msec 以下
量測光源 半導體光源
量測口徑 Φ27μm※2
WD 3 mm ~ 200 mm
量測時間 10msec 以下

※1隨光譜儀種類不同,厚度量測範圍不同

※2最小Φ6μm