分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3

產品資訊

晶圓測厚儀SF-3產品特色

◦光學式以非接觸・非破壞量測厚度（量測點位大小：min.約20μm）
◦體積小、省空間、設備安裝簡易（123 × 128 × 224mm）
◦採用分光干涉法實現高精度檢測再現性（0.01%以下）
◦能以高速量測（最快5kHz）並監控即時研磨厚度
◦能實現長距離Working distance（以50mm）量測、崁入產線更加簡單
◦使用TCP/IP通訊來控制以LAN來與Host連線
◦可對應多層厚度量測
◦在短暫貼合的情況下也能量測各層厚度

分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3使用特殊波段坡長讀取矽晶圓、玻璃等基材厚度。量測快速可直接架設於研磨機內，實時監控研磨厚度結果。針對半導體底材材料的多樣化&3D IC堆疊厚度減薄的需求來開發的量測方法，對於目前市面上其他用來量測厚度的方式, 例如, 渦電流, 雷射變位計(段差計)以外提供另外一種量測方式, 而在精度以及穩定性上更勝一籌, 並能支援real time及時研磨量測。

 

晶圓測厚儀SF-3量測項目

厚度測定（最多５層）
　因應不同量測對象，以矽晶圓厚度為例可量測6~1300μm。

 

高速厚度量測

　超高速量測，可適應快速晶圓研磨機台轉速，直接架設於晶圓厚度研磨機中。

 

微小點位量測

　量測點位微小，在各種粗糙面等也能穩定量測晶圓厚度。

 

in-situ, ex-situ量測 真空/穿透液體

能直接穿透真空或是液體量測晶圓厚度。　



 

裝置構成

　

 

半導體製程裝配例

　適用於半導體製程中的CMP製程，接合，背面研磨，濕蝕刻等製程量測晶圓厚度。

各類不同半導體晶圓基板厚度量測範例

• Si Wafer厚度量測

  
   

• SiC厚度量測

  
   

• GaAs厚度量測

  
   

• ALN厚度量測

  

• 藍寶石基板厚度量測

  
   

 

能因應不同產業

SF3除了半導體以外也被廣泛運用在各種不同產業。

 

規格樣式

型式	SF-3/200	SF-3/300	SF-3/800	SF-3/1300
尺寸	123*128*224mm
矽晶圓量測範圍	6-400um	10-775um	20-1000um	50-1300um
樹脂厚度量測範圍	10-1000um	20-1500um	40-2000um	100-2600um
最小取樣週期	5kHz(200us)
量測再現性	0.01%以下
量測光斑	直徑20um以上
測定距離	50, 80, 120, 150, 200mm
光源	半導體光源(雷射class 3B製品)
解析方法	FFT解析

量測範例

各種Wafer（Silicon、其他化合物wafer）的in-situ膜厚量測

　

分光干涉式Wafer膜厚計可直接架設於研磨機內部，在研磨時即時量測管理晶圓厚度。
　

研磨後貼合wafer厚度量測

減薄後矽晶圓的厚度與黏接材後度量測結果。黏接層的不均會影響到矽晶圓研磨的成果。  
　

切削、研磨中即時監控晶圓厚度

CMP製程於配線形成後，進行晶圓表面平坦化。SF-3提供崁入式CMP裝置內的即時膜厚間空系統。
　

自動測繪系統

自動測繪系統 X-Y載物台

■ 特色
　● 細微Pattern 定位，提供晶圓厚度和各種厚度訊息
　● 採用高精度X-Y stage工作台（2μm以下） ， 實現高精度定位
　● 可支援晶圓以外的形狀
　● 可確認測量點週邊視野
■ 以150mm製品為例
　● 主要應用範圍：MEMS和感測器設備
 　   ◎ X-Y定位2μm以下  ◎ 搭載Pattern match功能
　
■ 以300mm製品為例
　● 主要應用範圍：半導體專用300mm晶圓
  　  ◎ 藉由CCD確認測量點位  ◎ 搭載Pattern match功能
　
 

自動測繪系統 R-θ載物台

■ 特色
　●能高速提供晶圓面內的厚度訊息
　●可進行多點測繪測量
　●最多可測量Φ300mm晶圓的面內厚度
　●可因應裝配晶圓研磨裝置或暫時接合機等半導體製程裝置
 　  注意）可測量物件：僅限無偏振材料
■ R-θ驅動例